主要用于射頻放大器、微波放大器等高功率射頻器件，高功率激光管二極管、激光管二極管陣列、高功率晶體管等高功率器件，以及GaN、GaAs、SiC等化合物半導(dǎo)體器件。
具有機(jī)械強(qiáng)度高、絕緣性好、介電常數(shù)低和重量輕等特點(diǎn)，室溫?zé)釋?dǎo)率高達(dá)銅的5倍以上，可以使半導(dǎo)體器件在更小的空間內(nèi)獲得更高的功率密度和提高可靠性，是高熱流密度器件散熱的最佳熱管理材料。
| 尺寸 | 1-6英寸，可定制 |
| 厚度 | 0.25-1mm，可定制 |
| 粗糙度 | ＜10nm |
| 厚度偏差 | ±0.03?mm |
| 熱導(dǎo)率 | 1000-2200W/(m·K)@25℃ |
| 熱膨脹系數(shù) | 1±0.1ppm/K@25℃ |
0371-55983628
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